Заместитель главного редактора

Почтовый индекс: 100174, Ташкент, Алмазарский район, 4, Узбекистан.

Электронная почта: y.ergashov@nuu.uz, eyoqub@gmail.com

Дата рождения: 8 января 1977 года.

Место рождения: Сурхандарья, Узбекистан

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ КВАЛИФИКАЦИИ

Доктор наук (DSc) в области физико-математических наук, 2020 г.

Кандидат наук (PhD) в области физико-математических наук, 2017 г.

Бакалавр и магистр: поступил на физический факультет Национального университета Узбекистана в 2000 году и окончил университет в 2004 году.

НОМЕР УДОСТОВЕРЕНИЯ В UMT

1) Работодатель: Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека (НУУз)  
2) ORCID номер: 0000-0002-1884-9462  
3) SCOPUS ID: AU-ID 56600652100: информация SCOPUS https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=56600652100  
4) Web of Science (WoS) ID: G-5079-2016: информация Web of Science https://www.webofscience.com/wos/author/record/402577  

ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ КВАЛИФИКАЦИЯ

(Квалификация), (Дисциплина), (Учреждение), (Год)

Январь 2006 - Декабрь 2009 — Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека. Аспирант. 

Сентябрь 2004 - Июль 2006 — Физический факультет Национального университета Узбекистана. Научный сотрудник. 

Сентябрь 2000 - Июль 2004 — Физический факультет Национального университета Узбекистана. Студент.

ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРИЧАСТНОСТЬ

(Организация), (Роль), (С) - (По)

Март 2022 — по настоящее время: Проректор по научной работе и инновациям, Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека (НУУз), Ташкент, Узбекистан.

Февраль 2021 — Февраль 2022: Заведующий кафедрой, Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека (НУУз), Ташкент, Узбекистан.

Март 2018 — Март 2021: Министерство высшего образования, начальник отдела, Ташкент, Узбекистан.

Март 2014 — Март 2018: Доцент Ташкентского государственного технического университета, Ташкент, Узбекистан.

Декабрь 2011 — Февраль 2013: Преподаватель кафедры «Физическая электроника», Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека (НУУз), Ташкент, Узбекистан.

КЛЮЧЕВОЙ ДОКЛАД / ПРИГЛАШЕННЫЙ СПИКЕР

(Тема), (Мероприятие), (Место проведения), (Дата), (Организатор), (Уровень)

1. Уровень, Ташкент, Узбекистан.

ПРАВА НА ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНУЮ СОБСТВЕННОСТЬ

(Наименование продукта), (Типы), (Статус), (Национальный/Международный патент), (Год), (Коммерциализация)

• Исаханов З.А., Умирзаков Б.Э., Кодиров Т., Халматов А.С., Эргашев Ё.С. Способ получения самонесущей многослойной нанопленки кремний-силицид-металл. Патент на изобретение Республики Узбекистан № IAP05747, 25.12.2018.

• Умирзаков Б.Э., Эргашев Ё.С., Ташмухамедова Д.А. Способ получения нанокристаллической структуры дисилицида металла на кремниевой пленке. Патент на изобретение Республики Узбекистан № IAP06215, 29.05.2020.

ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ ГРАНТЫ

1. IL-4821091576 «Платформа дистанционного обучения» (2022-2024 гг.) Руководитель проекта.
2. MRB-OT-2019-23 «Научно-методическая поддержка подготовки преподавательского состава с использованием современных ИКТ» (2019-2021 гг.) Со-исследователь.
3. ОТ-F2-53 – «Квантово-размерные эффекты и электронные свойства двухслойных наноразмерных структур, созданных на поверхности и в приповерхностной области пленок A3B5 и A2B6» (2017-2020 гг.) Со-исследователь.
4. А-4-7 – «Разработка технологии синтеза гетероэпитаксиальных наноразмерных структур в приповерхностной области монокристаллических пленок кремния и арсенида галлия для микро- и оптоэлектронных устройств, включая солнечную энергию» (2015-2017 гг.); Со-исследователь.
5. F-2-41 – «Теоретические и экспериментальные исследования процессов распыления, внедрения атомов, формирования наноразмерных структур и напряженных слоев при имплантации ионов в материалы различной природы (металлы, полупроводники и диэлектрики)» (2012-2016 гг.) Со-исследователь.

ПУБЛИКАЦИИ

2024:

1. Igamov, B.D., Kamardin, A.I., Ergashov, Y., Bekpulatov, I.R. ZrO2 magnetron growth method and investigation of thin film growth. AIP Conference Proceedings, 2024, 3119(1), 020003 

2. Donayev, B., Ergashov, Y. Investigation of the interaction of a plane wave with a moving massive barrier in a two-layer elastoplastic medium. AIP Conference Proceedings, 2024, 3119(1), 020002 

3. Tashmukhamedova, D.А., Umirzakov, B.E., Ergashov, Y.S., Khudaykulov, F.Y., Abdiev, X.E. MECHANISM OF CHANGE IN THE EMISSION AND OPTICAL PROPERTIES OF W AND Mo AFTER BOMBARDMENT WITH LOW-ENERGY IONS. East European Journal of Physics, 2024, 2024(2), pp. 279–282 

2021:

4. Tatsiana G. Zoryna, Siarhei A. Aliaksandrovich, Yulia S. Valeeva, Ergashov Yokub Suvonovich. Measures to Stimulate the Development of Electric Transport as a Tool for the Development of the Territory8th International Conference on Energy Efficiency & Agricultural Engineering. 30.06.2022 - 02.07.2022, Bulgaria.

5. Valeeva Yulia Sergeevna, Sargu Stefan Lilia, Valeeva Svetlana Nikolaevna Ergashov Yokub Suvonovich. Main Trends in the Organization of the Postgraduate Research and Education Process in the Context of Digitalization of Higher Education. 8th International Conference on Energy Efficiency & Agricultural Engineering. 30.06.2022 - 02.07.2022, Bulgaria. 

2020:

6. Ergashov Y, Umirzakov B. Electron spectroscopy of CdMeTe nanostructures created on CdTe surface under ion bombardment. E3S Web of Conferences 178, 01079, 2020, https://doi.org/10.1051/e3sconf/202017801079   

7. Y.S.Ergashov. Electronic states of single-crystal CaF2 (111) with nanoscale phases of Ca and Si // SYMPOSIUM P, Dielectric nanocomposites for energy, environment and health: from fundamental to devices. E-MRS, Spring Meeting, Nice, France. May 27 – 31, 2019., р. P/p-2.8 

8. BE Umirzakov, Y.S Ergashov Experimental and theoretical investigation of influence of bombardment by Ar+ ions on valence electron spectrum in monocrystal Si(111) // Uzbekiston Fizika Zhurnali 2019, V21, №21, РР.293-298 

2018:

9. Erashov Y.S., Allayarova G.X., Umirzakov B.E., Composition, Structure and electronic functions of CdTe, with nanosized phase, created by subsurface layers implanted of Ba// SYMPOSIUM P, Solution processing and properties of functional oxide thin films and nanostructures-III, E MRS, Spring Meeting, Strasbourg, France. May 18 – 22, 2018., р. BB/p VII.10. 

10. Y.S. Ergashov, B.E. Umirzakov. Composition and Structure of a Nanofilm Multilayer System of the SiO2/Si/CoSi2/Si(111) Type Obtained via Ion Implantation Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2018, -V. 12, No. 4, -P. 816–818 © Pleiades 
Publishing, Ltd., 2018 

11. Ergahov, Y.S., Umirzakov, B.E. and Allayarova, G.K. Electronic Structure of Single- Crystal CaF2(111) with Nanoscale Phases of Ca and Si. Materials Sciences and Applications, Vol. 9, No.12, 2018. pp.965-971. https://doi.org/10.4236/msa.2018.912069

2017:

12. Umirzakov B.E., Ergashov Y.S., Donayev B.D. Electronic properties of nanodimensional phases of silicides of metals created by ion bombardment, Материалы республиканской научно-технической конференции “Актуалные проблемы энергосбережение при использовании альтернативных источников энергии”, КарГУ, 28-29 апрель 2017 г. стр. 

13. Ergashov Y.S., Umirzakov B.E. Obtaining and study of the electrical properties of nanoscale structures of MeSi2 in different depths Si. E-MRS, Spring Meeting, Symposium P. Strasbourg, France. May 22 – 26, 2017. P 9.52  

14. Ergashov Y. S. Composition and Properties of Nanoscale Si Structures Formed on the CoSi2/Si(111) Surface by Ar+ Ion Bombardment. ISSN 1063-7842, Technical Physics, 2017, -V. 62, No. 5, pp. 777–780. © Pleiades Publishing, Ltd., 2017. 

2016:

15.  E. S. Ergashov, Z. A. Isakhanov and B. E. Umirzakov. Transmission of Electromagnetic Waves through Thin Cu Films. ISSN 1063-7842, Technical Physics, 2016, Vol. 61, No. 6, pp. 953–955. © Pleiades Publishing, Ltd., 2016 

16. Ergashov Y.S., Tashatov A.K., Umirzakov B.E., Ташмухамедова Д.А. Obtaining nanosized phases of metals silicide in the surface region of Si and investigation their electronic structure by the me. E-MRS, Spring Meeting,Lille, France. May 2 – 6, 2016. 

17. Y.S.Ergashov, B.D. Donaev, B.E. Umirzakov. Composition and properties of nanoscale structures Si, reated on a surface of CoSi2/Si(111) bombardment with ions Ar+. New Trends of Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects 10-11  November 2016, Tashkent, Uzbekistan, pp.372-373.

2014:

18.  Y.S.Ergashov. “Study thermal diffusion, segregation and distribution of niobium atoms in depth of diluted alloy of molybdenum withniobium” 2014 //TWAS Regional Conference of Young Scientists on Recent Trends in Physical & Biological Sciences, March 7-8, 2014 at Bangalore, Jakkur, Bangalore – 560 064, India, p.№7.